SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的快年长期发展规划,还有很大潜力可以挖掘,海力12层和16层堆叠的布远HBM4E,
NAND方面,景产

在2026至2028年,而标准的上限是48Gbps,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。
DRAM市场方面,线路图上出现了GDDR7-Next,
在2029至2031年,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,还有定制款的HBM4E。线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、
提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,MRDIMM Gen2、HBM5E以及其定制版本,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。在NAND方面,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。面向AI市场有专用的高密度NAND。并不是GDDR8,